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李枭也是把几种方法作为建议，写到了研究报告上。
除此之外，想要研究出集成电路这还不够，还需要介质隔离技术和金属化与引线键合技术。
介质隔离技术就是在电路元件外围，形成反向偏置的P-N结，它的作用就是阻断电流横向扩散，这样就能解决集成电路中，相邻的元件短路难题。
而这一项技术到了后世，也是经过了数代的演化。
最开始是P-N结隔离技术，等到60年代后期又变成了氧化硅介质隔离技术，再往后就是浅沟槽隔离。
这个就要等到80年代去了。
等到00年以后，三维隔离法也会出现，李枭拿出的就是P-N结隔离技术，和二氧化硅介质隔离技术，两种研究的方向。
不过也只是研究的方向，其中只涉及了一些理论，但具体该如何施行，这个就要靠团队一起研究了。
金属化与引线键合技术，最初版本还是比较简单的，就是热压键合。
所谓的热压键合就是通过加热加压将金丝连接至芯片焊盘，这个很简单，以国内现在的技术也制造的出来。
而60年代以后的技术就是键合技术，键合技术又分为两种，一种是球键合，另一种是楔形键合，这两种技术也是60年代工艺化标准技术。
这一用就是30年，等到90年代这才又一次取得了突破。
只有先把这些搞懂，才能制造出简单的集成电路，当然复杂的集成电路就要上设备了，就比如制扩散炉、光刻机、镀膜设备。
这些就不着急了，像是光刻机，1960年首台才被制造出来，镀膜设备也要等到60年代，至于制扩散炉虽然现在已及出现，但存在掺杂不均匀问题，想要解决至少要等到80年代以后去了。
现在的常压闭管扩散炉也算是够用，制造出来的集成电路，足够组装第三代计算机。
至于其它的一些设备，这个李枭也需要好好研究研究，他打算等到计算机研究所，先研究完基础材料，然后在研究这些设备，到时候也不迟。
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